核心檢測項目與流程

1. 測試原理

• 反向偏置條件：將基極（B）與發(fā)射極（E）反向偏置，集電極（C）懸空或短接至基極（根據(jù)標準要求）。
• 擊穿判定標準：當反向電流達到設定閾值（通常為1 mA或10 μA，依規(guī)范而定）時對應的電壓即為BV_EBO。

2. 測試設備

• 源測量單元（SMU）：提供可編程電壓/電流源，并實時測量電壓和電流。
• 探針臺或測試夾具：確保電極接觸穩(wěn)定，減少接觸電阻影響。
• 溫控系統(tǒng)（可選）：若需測試溫度特性，需在指定溫度（如25℃、125℃）下進行。
• 防護電路：防止過壓或過流損壞器件。

3. 測試步驟

• 清潔器件表面，確保無污染或氧化層影響接觸。
• 固定器件于探針臺，精確對準發(fā)射極和基極探針。

• 設置電壓掃描范圍（例如0 V至20 V）和步進速率（如0.1 V/step）。
• 設定電流限制（防止擊穿后電流過大損壞器件）。

• 在基極（B）施加正電壓，發(fā)射極（E）接地，集電極（C）懸空或短接至B。
• 緩慢增加電壓，同時監(jiān)測反向電流（I_EB）。

• 當I_EB達到預設閾值（如1 mA）時，記錄此時電壓值即為BV_EBO。
• 繪制I-V曲線，確認擊穿是否為硬擊穿（突變）或軟擊穿（漸變）。

• 對同一批次多個樣品進行測試，統(tǒng)計平均值和標準差，評估工藝一致性。

4. 結(jié)果判定與標準

• 合格標準：實測BV_EBO需≥規(guī)格書標稱值（例如15 V）。
• 失效模式分析：
  • 過早擊穿：可能因結(jié)區(qū)缺陷、摻雜不均或污染導致。
  • 軟擊穿：表明結(jié)區(qū)存在漏電路徑，可能降低器件可靠性。

關(guān)鍵注意事項

1. 靜電防護（ESD）：測試全程需在防靜電環(huán)境下操作，避免器件因靜電損傷失效。
2. 電壓控制精度：電壓步進需足夠小（如0.1 V），避免漏判擊穿點。
3. 溫度影響：高溫下BV_EBO可能下降，需根據(jù)應用場景選擇測試溫度。
4. 校準設備：定期校準SMU和探針接觸電阻，確保數(shù)據(jù)準確性。

五、典型測試標準參考

• JEDEC JESD24：規(guī)定晶體管參數(shù)的測試方法。
• MIL-STD-750：軍用級半導體器件測試標準，涵蓋BV_EBO極限值驗證。
• IEC 60747：通用半導體分立器件測試規(guī)范。

六、總結(jié)