一、電工電子產品檢測項目

1. • 耐壓測試（Hi-Pot Test）：施加高于額定電壓的測試電壓，驗證絕緣材料是否擊穿。
   • 絕緣電阻測試：測量導體與外殼間的電阻值，確保絕緣性能符合標準（如IEC 60664）。
   • 接地連續性測試：檢查接地導體的導通性，防止漏電風險。
   • 溫升測試：模擬滿負荷運行下的溫度變化，評估熱安全性能。
2. • 高低溫循環測試（-40℃~125℃）：驗證器件在極端溫度下的耐受性。
   • 濕熱測試（85℃/85%RH）：評估潮濕環境下材料的耐腐蝕性和絕緣性能。
   • 振動與沖擊測試：模擬運輸或使用中的機械應力，檢測結構完整性。
3. • 傳導騷擾（CE）與輻射騷擾（RE）：檢測產品對電網或空間的電磁干擾是否超標。
   • 靜電放電抗擾度（ESD）：評估器件對靜電脈沖（如±8kV接觸放電）的防護能力。
4. • 輸入/輸出特性驗證、過載保護功能、能效等級測試（如歐盟ErP指令）。

二、微電子器件檢測項目

1. • 直流參數：閾值電壓（Vth）、漏電流（Ioff）、導通電阻（Ron）等。
   • 交流參數：傳輸延遲時間、信號完整性（眼圖測試）。
   • 功能驗證：通過ATE（自動測試設備）執行邏輯測試向量，確保設計功能正確。
2. • 加速壽命試驗（ALT）：在高溫高濕（如HAST試驗）、高壓條件下加速老化，推算器件壽命。
   • 高溫工作壽命（HTOL）：125℃下長時間通電，篩選早期失效產品。
   • 溫度循環（TC）與熱沖擊（TST）：驗證封裝材料與焊點的熱疲勞特性。
3. • 氣密性測試：氦質譜檢漏法檢查封裝密封性，防止濕氣侵入。
   • X射線檢測與SAT（超聲波掃描）：檢測內部引線鍵合、分層缺陷。
   • 3D顯微鏡檢查：分析封裝裂紋、焊球共面性等微觀結構問題。
4. • EMMI（微光顯微鏡）定位漏電點，FIB（聚焦離子束）進行失效剖切分析。

三、半導體分立器件檢測項目

1. • 二極管：正向壓降（Vf）、反向擊穿電壓（Vbr）、漏電流（Ir）。
   • 晶體管：飽和壓降（VCE(sat)）、截止電流（ICEO）、放大倍數（hFE）。
   • MOSFET/IGBT：閾值電壓（VGS(th)）、導通電阻（RDS(on)）。
2. • 開關時間（如IGBT的ton/toff）、反向恢復時間（Trr）。
   • 安全工作區（SOA）：驗證器件在電壓-電流平面內的安全運行邊界。
3. • 熱阻（Rth）測試：結到環境或外殼的熱阻值，反映散熱能力。
   • 熱失效分析：通過Thermal Imaging定位熱點，評估熱分布均勻性。
4. • 雪崩耐量測試（如MOSFET的UIS測試）：驗證器件承受瞬態過壓能力。
   • 閂鎖效應（Latch-up）測試：針對CMOS工藝器件，評估抗閂鎖能力。

四、檢測標準與設備

1. • 電工電子：IEC 61010（安全）、IEC 60068（環境試驗）。
   • 半導體：JEDEC JESD22（可靠性）、AEC-Q101（車規認證）。
2. • 示波器、半導體參數分析儀（如Keysight B1500A）、高低溫試驗箱、ESD模擬器等。

五、檢測的意義與趨勢

1. 質量保障：通過檢測篩選缺陷，提升產品良率與市場競爭力。
2. 技術趨勢：
   • 第三代半導體（SiC/GaN）需更高壓、高溫測試能力。
   • 智能化檢測系統整合AI算法，實現失效模式自動分類。