大信號(hào)工作時(shí)輸入/輸出電容檢測(cè)項(xiàng)目詳解

一、關(guān)鍵檢測(cè)項(xiàng)目

1. • 定義：柵極與源極/漏極間的等效電容，包括柵源電容（Cgs）和柵漏電容（Cgd）。
   • 測(cè)試意義：影響驅(qū)動(dòng)電路的功耗和開關(guān)延時(shí)；大信號(hào)下可能出現(xiàn)電壓相關(guān)性。
   • 測(cè)試條件：
     • 施加高幅值交變電壓（如50Vpp）模擬開關(guān)瞬態(tài)。
     • 偏置電壓覆蓋器件工作范圍（如Vds=0V至額定電壓）。
2. • 定義：漏極與源極間的等效電容，由漏源電容（Cds）主導(dǎo)。
   • 測(cè)試意義：決定開關(guān)損耗和電壓應(yīng)力，尤其影響軟開關(guān)拓?fù)涞男省?/li>
   • 測(cè)試條件：
     • 動(dòng)態(tài)偏置（如Vds從0V階躍至額定電壓）。
     • 高頻信號(hào)注入（1MHz以上）以模擬實(shí)際開關(guān)頻率。
3. • 定義：柵漏電容（Cgd）的等效值，表征柵極對(duì)漏極的耦合效應(yīng)。
   • 測(cè)試意義：影響米勒平臺(tái)持續(xù)時(shí)間及dv/dt抗擾度；大信號(hào)下非線性顯著。
   • 測(cè)試條件：
     • 高邊電壓掃描（如Vds=100~600V）。
     • 同步測(cè)量交變電流相位偏移。
4. • 定義：輸出電容儲(chǔ)能（Qoss）及柵極充電電荷（Qg）。
   • 測(cè)試意義：量化開關(guān)瞬態(tài)的能量損失，優(yōu)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。
   • 測(cè)試方法：
     • 積分法：通過電流探頭測(cè)量電荷量（Q=∫i·dt）。
     • 電壓-電容曲線積分：Qoss=∫Coss(V)·dV。

二、測(cè)試方法及儀器

1. • 適用場(chǎng)景：靜態(tài)或準(zhǔn)靜態(tài)電容測(cè)量（如C-V曲線掃描）。
   • 限制：僅適用于低頻（<1MHz），無法反映高頻開關(guān)特性。
2. • 原理：通過階躍信號(hào)反射波形提取寄生參數(shù)。
   • 優(yōu)勢(shì)：可分離封裝引線電感與真實(shí)電容。
3. • 電路拓?fù)?/strong>：搭建雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，結(jié)合高壓探頭與羅氏線圈。
   • 關(guān)鍵步驟：
     • 記錄開關(guān)瞬態(tài)的Vds(t)與Id(t)波形。
     • 通過dV/dt與電流斜率計(jì)算瞬態(tài)電容值：C = ΔQ/ΔV = (I·Δt)/ΔV。
4. • 高階應(yīng)用：S參數(shù)測(cè)量結(jié)合去嵌入技術(shù)，提取高頻電容矩陣。