輸入高電平電流(IIH)與輸入低電平電流(IIL)檢測項目詳解
一、檢測參數定義
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- 定義:輸入端施加規定高電平電壓(如VCC = 5V時,VIH = 2.0V)時,流入引腳的電流。
- 意義:反映輸入端在高電平狀態下的負載特性。
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- 定義:輸入端施加規定低電平電壓(如VIL = 0.8V)時,流出引腳的電流。
- 意義:體現輸入端在低電平狀態下的驅動能力需求。
二、檢測設備與條件
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- 高精度源測量單元(SMU)或微安級萬用表
- 可編程電源(提供穩定VCC)
- 恒溫箱(若需溫度測試)
- 測試夾具(確保接觸可靠)
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- 電源電壓:按器件規格設置(如3.3V/5V)。
- 溫度范圍:常溫(25℃)、極限溫度(如-40℃/85℃)。
- 輸入電壓:嚴格遵循數據手冊的VIH/VIL閾值(如TTL:VIH=2.4V,VIL=0.8V)。
三、檢測步驟與方法
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- 斷開外部負載,僅保留輸入引腳與測試設備連接。
- 確保接地路徑低阻抗,避免噪聲干擾。
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- 施加高電平電壓(VIH)至被測輸入引腳。
- 讀取SMU流入引腳的電流值,重復3次取平均值。
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- 施加低電平電壓(VIL)至被測輸入引腳。
- 讀取SMU流出引腳的電流值,重復3次取平均值。
四、標準符合性分析
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- 數據手冊規格(如某CMOS芯片IIH ≤ 1μA,IIL ≤ -1μA)。
- 行業標準(JESD22-A114 ESD測試中相關電氣參數要求)。
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- 若實測值超過規格范圍,需檢查測試電路或判定器件失效。
五、關鍵影響因素
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- 高溫可能導致IIH/IIL增大,需驗證極限溫度下的性能。
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- 施密特觸發器輸入可能與非緩沖輸入存在電流差異。
- CMOS與TTL器件的IIH/IIL差異顯著(如TTL的IIL可達mA級)。
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- 電源噪聲或接觸不良可能導致測量偏差。
六、故障分析與優化
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- 電流超標:可能因內部ESD保護二極管漏電或工藝缺陷。
- 數據波動:檢查電源穩定性或測試接觸點。
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- 改進輸入端緩沖設計以降低電流需求。
- 確保測試環境屏蔽電磁干擾(EMI)。
七、記錄與報告
- 記錄每次測量的電壓、電流值及環境條件。
- 生成測試報告,對比標準值并備注異常項。


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