一、電氣性能測試

1. • 輸入失調(diào)電壓（Vos） 方法：將兩輸入端短接并施加相同電壓，測量輸出電壓為零時的輸入電壓差值。 標(biāo)準(zhǔn)：通常要求Vos ≤ 1mV（高精度比較器需更低）。
   • 輸入偏置電流（Ib） 方法：通過高精度電流表測量輸入端的靜態(tài)電流。 影響：偏置電流過大會導(dǎo)致輸入信號誤差。
2. • 響應(yīng)時間（Propagation Delay） 方法：使用信號發(fā)生器輸入階躍信號，示波器捕捉輸出跳變延遲（從輸入過閾值到輸出翻轉(zhuǎn)90%的時間）。 細分：上升沿延遲（tPLH）和下降沿延遲（tPHL）。
   • 輸出驅(qū)動能力 方法：連接不同負載電阻，測試輸出電平是否滿足邏輯高/低閾值。
3. • 共模抑制比（CMRR） 方法：固定差分輸入電壓，改變共模電壓，測量輸出電壓變化量。 公式：CMRR = 20log(ΔVcm/ΔVout)（單位：dB）。
   • 電源電壓抑制比（PSRR） 方法：改變電源電壓（如±10%），測量輸出電壓波動。

二、功能驗證

1. • 根據(jù)數(shù)據(jù)手冊標(biāo)稱閾值（如1.2V），輸入斜坡信號，記錄輸出翻轉(zhuǎn)點電壓，重復(fù)多次統(tǒng)計誤差。
2. • 輸入三角波信號，測量輸出跳變的上閾值（VTH）和下閾值（VTL），計算滯回電壓ΔV = VTH - VTL。
3. • 在高低電平輸出時，使用負載電路測試是否符合標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平（如TTL或CMOS電平）。

三、可靠性測試

1. • 條件：125℃環(huán)境下連續(xù)工作500小時，監(jiān)測參數(shù)漂移（如Vos變化率≤10%）。
2. • 條件：-40℃至+85℃循環(huán)沖擊100次，測試封裝與內(nèi)部連接可靠性。
3. • 常溫下持續(xù)運行1000小時，觀察輸出閾值是否發(fā)生偏移。

四、封裝與物理特性測試

1. • 使用拉力計測試鍵合線斷裂強度，確保符合MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn)（如金線≥3g）。
2. • 氦質(zhì)譜檢漏法：檢測封裝氣密性，防止?jié)駳馇秩雽?dǎo)致內(nèi)部腐蝕。
3. • 依據(jù)HBM（人體放電模型）和CDM（器件充電模型），施加±2kV~±8kV靜電脈沖，測試功能是否失效。

五、特殊環(huán)境適應(yīng)性測試

1. • 針對航空航天應(yīng)用，進行γ射線或中子輻射試驗，監(jiān)測參數(shù)退化情況。
2. • 模擬運輸或工業(yè)環(huán)境振動（如5-2000Hz隨機振動），驗證結(jié)構(gòu)完整性。

六、測試設(shè)備與注意事項

• 關(guān)鍵設(shè)備：
  • 高精度源表（如Keysight B2900系列）、示波器（帶寬≥100MHz）、溫控箱（-65℃~+150℃）。
• 注意事項：
  • 測試前需充分預(yù)熱設(shè)備以減少溫漂；
  • 高頻測試時需使用屏蔽線纜，避免信號串?dāng)_。

總結(jié)