一、基礎(chǔ)電氣參數(shù)測試

1. • 目的：驗(yàn)證芯片在標(biāo)稱輸入電壓下的輸出電壓是否符合規(guī)格。
   • 方法：使用可編程電源模擬輸入變化（如3V-5V輸入），測量輸出是否穩(wěn)定在目標(biāo)值（如1.8V±2%）。
2. • 負(fù)載調(diào)整率：輸出電流從10%到滿載時(shí)，電壓的波動范圍（通常要求<±3%）。
   • 線性調(diào)整率：輸入電壓變化時(shí)，輸出電壓的穩(wěn)定性（如輸入變化±10%，輸出波動<±1%）。
3. • 效率：計(jì)算輸出功率與輸入功率的比值（例如：DC-DC轉(zhuǎn)換器效率需≥90%）。
   • 待機(jī)功耗：芯片在休眠模式下的靜態(tài)電流（如要求<10μA）。

二、動態(tài)性能驗(yàn)證

1. • 方法：通過電子負(fù)載模擬負(fù)載階躍變化（如50%→75%→50%），測量輸出電壓恢復(fù)穩(wěn)定的時(shí)間和過沖幅度（通常要求恢復(fù)時(shí)間<100μs）。
2. • PWM頻率：驗(yàn)證開關(guān)電源的實(shí)際頻率是否與設(shè)計(jì)匹配（如1MHz±10%）。
   • 多相電源同步：多相并聯(lián)時(shí)，檢查各相波形相位差是否均勻（避免電流失衡）。

三、保護(hù)功能測試

1. • 觸發(fā)閾值：輸入過壓時(shí)是否切斷輸出（如輸入超過6V觸發(fā)保護(hù)）。
   • 自恢復(fù)能力：故障解除后能否自動重啟。
2. • 模擬短路：短接輸出端，檢測限流值是否在標(biāo)稱范圍內(nèi)（如2A限流），并觀察芯片溫度變化。
3. • 方法：通過熱風(fēng)槍加熱芯片至標(biāo)稱溫度（如125℃），驗(yàn)證是否觸發(fā)關(guān)斷并記錄恢復(fù)條件。

四、功能模塊專項(xiàng)測試

1. • 輕載效率：測試低負(fù)載下脈沖跳躍（PSM）模式是否正常。
   • 交叉調(diào)整率：多路輸出時(shí)，驗(yàn)證一路負(fù)載變化對其他輸出的影響。
2. • 壓差測試：輸入輸出最小壓差是否符合規(guī)格（如150mV@300mA）。
   • PSRR（電源抑制比）：測量高頻噪聲抑制能力（如60dB@1kHz）。
3. • 充電曲線：驗(yàn)證恒流/恒壓充電階段的切換點(diǎn)及截止電流精度。
   • 庫侖計(jì)精度：充放電電量統(tǒng)計(jì)誤差（需<±3%）。

五、環(huán)境與可靠性測試

1. • 方法：在溫箱中循環(huán)48小時(shí)，監(jiān)測參數(shù)漂移（如輸出電壓變化<±5%）。
2. • 條件：滿負(fù)荷運(yùn)行500小時(shí)，統(tǒng)計(jì)失效比例（目標(biāo)失效率<0.1%）。
3. • 傳導(dǎo)干擾：使用頻譜分析儀檢測開關(guān)噪聲是否超出EN55022標(biāo)準(zhǔn)。
   • 抗干擾能力：注入EFT（電快速脈沖群）測試芯片穩(wěn)定性。

六、通信與控制接口測試

1. I2C/SPI通信功能
   • 讀寫寄存器：驗(yàn)證電壓設(shè)定值、開關(guān)機(jī)指令的傳輸成功率（需100%無誤）。
   • 中斷響應(yīng)：模擬故障（如過溫），檢查中斷信號是否準(zhǔn)確觸發(fā)。

七、封裝與物理特性

1. • 方法：測量芯片結(jié)溫與環(huán)境溫差，評估散熱設(shè)計(jì)（如θJA≤50℃/W）。
2. • 回流焊測試：驗(yàn)證封裝是否耐受無鉛焊接工藝（峰值溫度260℃）。

總結(jié)