一、相對電容率檢測原理
二、核心檢測項目及方法
1. 基礎相對電容率測試
- 目的:獲取材料在標準條件(常溫、低頻)下的介電特性。
- 方法:采用平行板電極(ASTM D150標準)或阻抗分析儀(頻率范圍1kHz-1MHz),測量電容值后計算ε<sub>r</sub>。
- 關鍵點:樣品需平整無氣泡,電極接觸需均勻以減少邊緣效應。
2. 溫度依賴性檢測
- 目的:評估材料ε<sub>r</sub>隨溫度的變化規律,適用于高溫電子器件或低溫工況。
- 方法:將樣品置于溫控腔(-50°C至200°C)中,結合LCR表測量不同溫度下的電容值。
- 典型材料:鐵電材料(如BaTiO<sub>3</sub>)在居里點附近ε<sub>r</sub>劇烈變化。
3. 頻率響應特性
- 目的:分析ε<sub>r</sub>在寬頻域(Hz至GHz)的變化,識別介電弛豫現象。
- 方法:使用阻抗分析儀(如Keysight E4990A)或矢量網絡分析儀(高頻段),掃描頻率并記錄數據。
- 應用:5G通信基板材料需在毫米波頻段(28GHz)保持穩定ε<sub>r</sub>。
4. 濕度影響測試
- 目的:量化環境濕度對材料極化的影響,驗證防水涂層或封裝效果。
- 方法:在濕度箱(20%~95% RH)中預處理樣品后快速測量,對比干濕狀態ε<sub>r</sub>差異。
- 案例:環氧樹脂封裝膠吸濕后ε<sub>r</sub>上升可能導致信號延遲。
5. 各向異性介電特性
- 目的:檢測層狀材料(如PCB基材)在不同方向上的ε<sub>r</sub>差異。
- 方法:使用三軸電極或切割樣品至不同取向,分別測量橫向/縱向電容值。
- 示例:FR-4玻璃纖維板橫向ε<sub>r</sub>≈4.5,縱向可能偏離10%以上。
6. 老化與穩定性測試
- 目的:評估材料在長期電場、熱應力下的ε<sub>r</sub>漂移。
- 方法:施加額定電壓并高溫加速老化(如85°C/1000小時),定期監測電容變化。
- 標準:IEC 60216針對電氣絕緣材料老化測試提供指導。
7. 薄膜材料超薄層檢測
- 目的:解決納米級薄膜(如Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>絕緣層)的ε<sub>r</sub>精確測量難題。
- 方法:采用橢圓偏振儀(Spectroscopic Ellipsometry)反演光學常數,或使用MIM(Metal-Insulator-Metal)結構結合射頻探針臺。
三、關鍵影響因素與誤差控制
- 樣品制備:表面粗糙度需小于電極間距的5%,避免氣隙引入誤差。
- 電極配置:選用濺射金電極或導電銀膠,減小接觸電阻。
- 環境干擾:屏蔽電磁噪聲,控溫精度建議±0.5°C。
四、應用領域實例
- 電容器制造:篩選高ε<sub>r</sub>陶瓷粉體(如X7R、Y5V)提升儲能密度。
- 微電子封裝:驗證Low-k材料(ε<sub>r</sub><3.0)降低芯片互連延遲。
- 電力設備:評估變壓器油ε<sub>r</sub>與含水量的關聯性,預判絕緣失效風險。
五、


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