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GB/T 223.83-2009鋼鐵及合金 高硫含量的測(cè)定
GB/T 223.83-2009鋼鐵及合金 高硫含量的測(cè)定 感應(yīng)爐燃燒后紅外吸收法，本部分規(guī)定了用感應(yīng)爐燃燒紅外吸收法測(cè)定鋼鐵中硫含量的方法。本方法適用于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.10%~0.35%硫含量的測(cè)定。
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GB/T 223.86-2009 鋼鐵及合金 總碳含量的測(cè)定
GB/T 223.86-2009 鋼鐵及合金 總碳含量的測(cè)定 感應(yīng)爐燃燒后紅外吸收法，本部分規(guī)定了用感應(yīng)爐燃燒后紅外吸收法測(cè)定鋼鐵中總碳含量的方法。本部分適用于質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.003%~4.5%的碳含量的測(cè)定。
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GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測(cè)定方法
GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測(cè)定方法，本方法規(guī)定了用直排四探針?lè)y(cè)量硅單晶電阻率的方法。本方法適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。
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GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定
GB/T 1553-2009硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過(guò)程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量。
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GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB/T 1554-2009硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)硅晶體完整性的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于晶向?yàn)?111>、<100>或<110>、電阻率為10-3 Ω·cm~104 Ω·cm、位錯(cuò)密度在0cm-2~105cm-2之間的硅單晶錠或硅片中原生缺陷的檢驗(yàn)。
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GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法
GB/T 1555-2009半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體單晶晶向X 射線衍射定向和光圖定向的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)定半導(dǎo)體單晶材料大致平行于低指數(shù)原子面的表面取向。
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GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 紅外吸收測(cè)量方法
GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 紅外吸收測(cè)量方法，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅中代位碳原子含量的紅外吸收測(cè)量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及電阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的測(cè)定,對(duì)于精密度要求不高的硅片,可以測(cè)量電阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于間隙位置,因而本方法不能測(cè)定總碳含量。本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅多晶中代位碳原子含量的測(cè)定,但其晶粒界間區(qū)的碳同樣不能測(cè)定。
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GB/T 2933-2009充氣輪胎用車(chē)輪和輪輞的術(shù)語(yǔ)、規(guī)格代號(hào)和標(biāo)志
GB/T 2933-2009充氣輪胎用車(chē)輪和輪輞的術(shù)語(yǔ)、規(guī)格代號(hào)和標(biāo)志，本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了充氣輪胎用車(chē)輪和輪輞的相關(guān)術(shù)語(yǔ)詞匯和規(guī)格代號(hào)及標(biāo)志系統(tǒng),旨在定義車(chē)輪和輪輞的基礎(chǔ)術(shù)語(yǔ),而非提供車(chē)輪所有設(shè)計(jì)特征的詳盡列表。本標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了車(chē)輪和輪輞標(biāo)志的內(nèi)容、位置和最小尺寸,目的是確立統(tǒng)一的車(chē)輪和輪輞識(shí)別系統(tǒng)。
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