GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測(cè)定方法
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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 1551-2009硅單晶電阻率測(cè)定方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本方法規(guī)定了用直排四探針?lè)y(cè)量硅單晶電阻率的方法。本方法適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍的硅單晶體電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距10倍、厚度小于探針間距4倍的硅單晶圓片的電阻率。
英文名稱： Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
替代情況： 替代GB/T 1551-1995;GB/T 1552-1995
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： MOD SEMI MF 84-1105;SEMI MF 397-1106
發(fā)布部門(mén)： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1979-05-26
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)
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