標準編號：GB/T 1553-2009硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定光電導衰減法
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
標準簡介：本標準規(guī)定了硅和鍺單晶體內少數(shù)載流子壽命的測量方法。本標準適用于非本征硅和鍺單晶體內載流子復合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測量。
英文名稱： Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
替代情況： 替代GB/T 1553-1997
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1979-05-26
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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