一、檢測原理與目的

1. 驗證晶體管是否符合設計規格；
2. 評估工藝穩定性（如摻雜濃度、結深等）；
3. 篩選潛在缺陷（如結邊緣粗糙、污染導致的局部擊穿）。

二、核心檢測項目與實施方法

1. 反向擊穿電壓（V_EB）的標定

• 使用半導體參數分析儀（如Keysight B1500A），設置反向電壓掃描（基極接正極，發射極接負極）。
• 記錄電流隨電壓變化的曲線，通常以反向電流達到1 mA時的電壓值為V_EB（部分標準采用10 μA或自定義閾值）。

• 測試前需確保器件處于熱平衡狀態（避免自熱效應干擾）；
• 需限制測試電流（如串聯保護電阻），防止二次擊穿損壞器件。

2. 溫度依賴性測試

• 在溫控環境箱中（-55°C至150°C范圍內），逐級升溫并重復V_EB測試。
• 分析擊穿電壓隨溫度升高的變化趨勢（通常V_EB隨溫度升高而降低）。

3. 反向漏電流（I_R）檢測

• 在V_EB額定值的80%電壓下，測量反向漏電流值；
• 對比同批次或不同工藝批次的數據，篩選異常漏電流器件（如漏電流突增可能預示微觀缺陷）。

4. 重復性與穩定性測試

• 對同一器件施加周期性反向偏壓（如100次循環），記錄每次V_EB的變化；
• 分析擊穿電壓的漂移量（合格標準通常要求漂移<5%）。

5. 擊穿曲線斜率分析

• 計算擊穿點附近電流-電壓曲線的斜率（dV/dI）；
• 硬擊穿（雪崩擊穿）表現為曲線斜率驟降，軟擊穿（缺陷導致）則斜率平緩。

三、測試設備與防護措施

1. • 半導體參數分析儀（需支持高壓模塊，最高電壓≥50 V）。
   • 溫控測試探針臺（溫度范圍覆蓋器件規格）。
   • 防靜電工作臺（ESD防護等級≥1 kV）。
2. • 避免測試電壓超過器件極限值造成永久損壞；
   • 高頻測試時需考慮探針和走線的寄生電容影響。

四、數據處理與結果判定

1. • 記錄每次測試的V_EB、I_R、測試溫度及環境參數；
   • 繪制擊穿特性曲線和溫度-電壓關系圖。
2. • 符合器件規格書要求的V_EB范圍；
   • 漏電流、溫度系數等參數符合行業標準（如JEDEC或AEC-Q101）。

五、典型失效模式與對策

1. V_EB偏低：可能因基區摻雜濃度過高或結深不足，需優化擴散/離子注入工藝。
2. 反向漏電流異常：排查表面污染、氧化層缺陷或金屬遷移問題。
3. 擊穿曲線不重復：可能由封裝應力或接觸不良引起，需改進封裝工藝。