模擬雷擊試驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)室擁有眾多大型儀器及各類分析檢測(cè)設(shè)備,研究所長(zhǎng)期與各大企業(yè)、高校和科研院所保持合作伙伴關(guān)系,始終以科學(xué)研究為首任,以客戶為中心,不斷提高自身綜合檢測(cè)能力和水平,致力于成為全國(guó)科學(xué)材料研發(fā)領(lǐng)域服務(wù)平臺(tái)。
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模擬雷擊試驗(yàn):電子設(shè)備雷電防護(hù)性能的驗(yàn)證與分析
一、引言
雷電是自然界中最具破壞性的電磁現(xiàn)象之一,其釋放的巨大能量可通過(guò)直接擊中、感應(yīng)耦合或傳導(dǎo)等方式侵入電子設(shè)備,引發(fā)浪涌電壓/電流沖擊,導(dǎo)致部件損壞、功能失效甚至系統(tǒng)崩潰。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備向高精度、高集成度發(fā)展,其對(duì)雷電脈沖的耐受能力愈發(fā)成為可靠性設(shè)計(jì)的關(guān)鍵指標(biāo)。模擬雷擊試驗(yàn)作為評(píng)估設(shè)備雷電防護(hù)性能的核心手段,通過(guò)在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中復(fù)現(xiàn)真實(shí)雷電的電磁效應(yīng),為設(shè)備設(shè)計(jì)優(yōu)化、標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性驗(yàn)證提供了科學(xué)依據(jù)。本文以某通用電子設(shè)備為例,系統(tǒng)闡述模擬雷擊試驗(yàn)的背景、流程、數(shù)據(jù)分析及,旨在為同類試驗(yàn)的開(kāi)展提供參考。
二、試驗(yàn)背景與目的
(一)背景
據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)統(tǒng)計(jì),每年因雷電導(dǎo)致的電子設(shè)備損壞事故占比約15%,直接經(jīng)濟(jì)損失超百億美元。在工業(yè)控制、通信、電力等領(lǐng)域,設(shè)備一旦因雷電失效,可能引發(fā)連鎖反應(yīng)(如生產(chǎn)線停機(jī)、通信中斷),造成更大范圍的損失。因此,各國(guó)均通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)(如IEC 61000-4-5《電磁兼容性 第4-5部分:試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》、GB/T 17626.5《電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》)強(qiáng)制要求電子設(shè)備具備一定的雷電浪涌耐受能力。
(二)目的
本試驗(yàn)的核心目標(biāo)是:
- 驗(yàn)證被試設(shè)備(EUT,Equipment Under Test)對(duì)雷電浪涌脈沖的抗擾度,確定其在規(guī)定電壓等級(jí)下的功能穩(wěn)定性;
- 識(shí)別設(shè)備的薄弱環(huán)節(jié)(如電源接口、通信端口),為防護(hù)電路設(shè)計(jì)提供改進(jìn)方向;
- 評(píng)估設(shè)備防護(hù)措施(如壓敏電阻、浪涌保護(hù)器(SPD))的有效性;
- 為設(shè)備的認(rèn)證(如CE、CCC)提供試驗(yàn)數(shù)據(jù)支持。
三、試驗(yàn)準(zhǔn)備
(一)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)與依據(jù)
本試驗(yàn)嚴(yán)格遵循IEC 61000-4-5:2014標(biāo)準(zhǔn),采用“1.2/50μs(電壓脈沖)+8/20μs(電流脈沖)”的組合波形,該波形是模擬雷電感應(yīng)浪涌的典型波形(1.2μs為脈沖上升時(shí)間,50μs為脈沖半峰值時(shí)間;8μs為電流上升時(shí)間,20μs為電流半峰值時(shí)間)。
(二)試驗(yàn)設(shè)備
- 浪涌脈沖發(fā)生器:輸出電壓范圍0~6kV(峰值),電流范圍0~3kA(峰值),滿足IEC 61000-4-5對(duì)波形參數(shù)的要求;
- 耦合/去耦網(wǎng)絡(luò)(CDN,Coupling/Decoupling Network):用于將浪涌脈沖耦合到EUT的電源或信號(hào)線上,同時(shí)防止脈沖反饋至電網(wǎng)影響其他設(shè)備;
- 示波器:帶寬≥500MHz,采樣率≥2GS/s,用于捕捉浪涌脈沖波形及EUT的響應(yīng)信號(hào);
- 被試設(shè)備(EUT):某型工業(yè)控制終端,包含電源模塊、CPU板、通信接口(RS485、以太網(wǎng))及輸入輸出(I/O)模塊;
- 輔助設(shè)備:直流電源(為EUT供電)、信號(hào)發(fā)生器(模擬EUT的輸入信號(hào))、萬(wàn)用表(測(cè)量電壓/電流參數(shù))。
(三)試驗(yàn)環(huán)境
試驗(yàn)在電磁兼容(EMC)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行,環(huán)境條件:溫度23±2℃,相對(duì)濕度45%~65%,大氣壓力86~106kPa。實(shí)驗(yàn)室接地系統(tǒng)電阻≤0.5Ω,避免接地不良對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響。
(四)預(yù)處理
試驗(yàn)前對(duì)EUT進(jìn)行初始性能測(cè)試,記錄關(guān)鍵參數(shù):
- 電源輸入電壓:DC 24V,波動(dòng)范圍≤±5%;
- 通信接口傳輸速率:RS485為9600bps,以太網(wǎng)為100Mbps;
- I/O模塊響應(yīng)時(shí)間:≤10ms;
- 功能驗(yàn)證:模擬輸入信號(hào)(如溫度、壓力)時(shí),EUT能正確采集、顯示并輸出控制信號(hào)。
四、試驗(yàn)過(guò)程
(一)試驗(yàn)配置
根據(jù)IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),采用“線-地(L-G)”和“線-線(L-L)”兩種耦合方式,分別模擬相線與接地端、相線之間的浪涌脈沖。具體連接方式如下:
- 電源端口試驗(yàn):將CDN串聯(lián)在EUT的電源輸入線與直流電源之間,浪涌發(fā)生器通過(guò)CDN向電源正極(L+)與接地端(GND)施加浪涌脈沖;
- 通信端口試驗(yàn):將CDN串聯(lián)在EUT的RS485接口(A、B線)與信號(hào)發(fā)生器之間,浪涌發(fā)生器通過(guò)CDN向A線與GND、B線與GND施加浪涌脈沖;
- I/O端口試驗(yàn):將CDN串聯(lián)在EUT的數(shù)字輸入線(DI)與信號(hào)發(fā)生器之間,浪涌發(fā)生器向DI線與GND施加浪涌脈沖。
(二)脈沖施加規(guī)則
- 極性:分別施加正極性(+)和負(fù)極性(-)浪涌脈沖,每種極性測(cè)試5次;
- 電壓等級(jí):從1kV開(kāi)始,逐步提升至6kV(每級(jí)間隔1kV),每級(jí)電壓測(cè)試完成后檢查EUT狀態(tài);
- 脈沖間隔:每次脈沖間隔≥1分鐘,避免EUT因連續(xù)沖擊產(chǎn)生累積損傷。
(三)監(jiān)測(cè)與記錄
試驗(yàn)過(guò)程中,通過(guò)以下方式監(jiān)測(cè)EUT的響應(yīng):
- 波形監(jiān)測(cè):用示波器同時(shí)捕捉浪涌發(fā)生器的輸出波形(電壓/電流)和EUT輸入端口的實(shí)際承受波形,驗(yàn)證脈沖參數(shù)是否符合標(biāo)準(zhǔn)要求;
- 狀態(tài)監(jiān)測(cè):實(shí)時(shí)觀察EUT的指示燈、顯示屏狀態(tài),記錄是否出現(xiàn)死機(jī)、重啟、顯示異常等現(xiàn)象;
- 性能監(jiān)測(cè):在每級(jí)電壓測(cè)試后,重新進(jìn)行初始性能測(cè)試,比較參數(shù)變化(如電源電壓波動(dòng)、通信誤碼率、I/O響應(yīng)時(shí)間);
- 損壞檢查:若EUT出現(xiàn)功能失效,立即停止試驗(yàn),拆機(jī)檢查損壞部件(如電源模塊的壓敏電阻、通信接口的瞬態(tài)抑制二極管(TVS))。
五、試驗(yàn)結(jié)果與分析
(一)總體結(jié)果概述
表1 不同端口的浪涌耐受電壓(單位:kV)
端口類型 | 正極性耐受電壓 | 負(fù)極性耐受電壓 | 失效模式 |
---|---|---|---|
電源端口 | 4kV | 4kV | 電源模塊過(guò)壓保護(hù)啟動(dòng),重啟后恢復(fù) |
RS485接口 | 2kV | 2.5kV | 通信誤碼率>10%,TVS管擊穿 |
以太網(wǎng)接口 | 3kV | 3kV | 鏈路斷開(kāi),重啟后恢復(fù) |
DI端口 | 5kV | 5kV | 無(wú)明顯異常 |
(二)詳細(xì)分析
-
電源端口:
- 當(dāng)施加1~3kV浪涌脈沖時(shí),EUT無(wú)異常,電源電壓波動(dòng)≤±3%(符合設(shè)計(jì)要求);
- 當(dāng)施加4kV脈沖時(shí),電源模塊的壓敏電阻(MOV)動(dòng)作,將電壓鉗位至30V(低于EUT的最大耐受電壓36V),EUT短暫重啟后恢復(fù)正常;
- 當(dāng)施加5kV脈沖時(shí),MOV因過(guò)流損壞(阻值變?yōu)?Ω),導(dǎo)致電源短路,EUT無(wú)法開(kāi)機(jī)。
- 分析:電源模塊的防護(hù)措施(MOV+保險(xiǎn)絲)在4kV以下有效,但MOV的通流容量不足(設(shè)計(jì)值為2kA,實(shí)際脈沖電流達(dá)2.5kA),需更換為通流容量更大的MOV(如3kA)。
-
RS485接口:
- 當(dāng)施加1kV脈沖時(shí),通信誤碼率<1%(正常);
- 當(dāng)施加2kV正極性脈沖時(shí),誤碼率升至15%,示波器顯示RS485接口的電壓峰值達(dá)12V(超過(guò)TVS管的鉗位電壓8V),TVS管擊穿(阻值變?yōu)闊o(wú)窮大);
- 分析:RS485接口的TVS管選型不當(dāng)(鉗位電壓過(guò)高),應(yīng)更換為鉗位電壓≤6V的TVS管,并增加前端限流電阻(如10Ω),降低脈沖電流。
-
以太網(wǎng)接口:
- 當(dāng)施加3kV脈沖時(shí),以太網(wǎng)鏈路斷開(kāi)(指示燈熄滅),重啟后恢復(fù)正常;
- 分析:以太網(wǎng)接口的隔離變壓器(共模電感)對(duì)浪涌脈沖有一定抑制作用,但未達(dá)到3kV以上的耐受要求,需在接口處增加SPD(如10/350μs波形的SPD)。
-
DI端口:
- 當(dāng)施加5kV脈沖時(shí),DI模塊的光耦隔離電路有效,輸入電壓被鉗位至5V(光耦的最大耐受電壓),EUT無(wú)異常;
- 分析:DI端口的防護(hù)設(shè)計(jì)(光耦+TVS)滿足5kV的耐受要求,無(wú)需改進(jìn)。
六、與建議
(一)
- 被試設(shè)備的電源端口、DI端口的雷電浪涌耐受能力符合IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的基本要求(電源端口≥4kV,DI端口≥5kV);
- RS485接口的耐受能力不足(≤2.5kV),是設(shè)備的薄弱環(huán)節(jié);
- 以太網(wǎng)接口的耐受能力(3kV)雖滿足最低要求,但需進(jìn)一步提升以適應(yīng)更惡劣的雷電環(huán)境;
- 防護(hù)元件(如MOV、TVS)的選型是影響耐受能力的關(guān)鍵因素,需根據(jù)脈沖參數(shù)(電壓、電流)優(yōu)化設(shè)計(jì)。
(二)建議
- 電源模塊:更換通流容量為3kA的MOV,增加熱敏電阻(PTC)用于過(guò)流保護(hù),防止MOV損壞后短路;
- RS485接口:更換鉗位電壓為6V的TVS管,串聯(lián)10Ω限流電阻,降低脈沖電流對(duì)TVS的沖擊;
- 以太網(wǎng)接口:增加符合IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的SPD,安裝在接口前端,提高共模浪涌的抑制能力;
- 設(shè)計(jì)優(yōu)化:在設(shè)備機(jī)箱上增加接地端子,降低機(jī)殼與信號(hào)地之間的電位差,減少感應(yīng)浪涌的影響;
- 試驗(yàn)驗(yàn)證:對(duì)改進(jìn)后的設(shè)備重新進(jìn)行模擬雷擊試驗(yàn),確保耐受能力達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)(如RS485接口≥3kV,以太網(wǎng)接口≥4kV)。
七、結(jié)語(yǔ)
模擬雷擊試驗(yàn)是電子設(shè)備可靠性設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié),通過(guò)復(fù)現(xiàn)真實(shí)雷電的電磁效應(yīng),能有效識(shí)別設(shè)備的薄弱環(huán)節(jié),為防護(hù)措施的優(yōu)化提供科學(xué)依據(jù)。本文通過(guò)對(duì)某工業(yè)控制終端的試驗(yàn)分析,揭示了防護(hù)元件選型、接口設(shè)計(jì)對(duì)浪涌耐受能力的影響,提出了針對(duì)性的改進(jìn)建議。未來(lái),隨著雷電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)的不斷升級(jí)(如引入10/350μs波形模擬直接雷擊),模擬雷擊試驗(yàn)將更加貼近實(shí)際環(huán)境,為電子設(shè)備的安全運(yùn)行提供更有力的保障。
(注:本文中被試設(shè)備為通用型電子設(shè)備,試驗(yàn)數(shù)據(jù)均為模擬結(jié)果,不涉及具體企業(yè)或產(chǎn)品。)

