哪里可以檢測硅片?中析研究所檢測中心提供硅片檢測服務(wù)，出具的硅片檢測報告支持掃碼查詢真?zhèn)巍７?wù)項目：元素分析、表面形貌、顯微結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)分析、物理性能、薄膜厚度、電性能、化學成分等。實驗室工程師嚴格按照相關(guān)標準進行實驗，并且提供非標實驗定制服務(wù)。

　　檢測周期:7-15個工作日，參考周期

　　檢測樣品

　　單晶硅片、多晶硅片、SOI硅片、玻璃硅片、氮化硅片。

　　檢測項目

　　元素分析、表面形貌、顯微結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)分析、物理性能、薄膜厚度、電性能、化學成分。

　　檢測方法

　　表面形貌和顯微結(jié)構(gòu)分析：掃描電子顯微鏡、光學顯微鏡。

　　結(jié)構(gòu)分析：X射線衍射。

　　物理性能測試：硬度計、彈性模量測量儀。

　　電性能測試：電阻測試儀、載流子遷移率測量儀。

　　元素分析：原子吸收光譜、電感耦合等離子體發(fā)射光譜、X射線熒光光譜。

　　薄膜厚度測量：表面粗糙度儀、白光干涉儀。

　　化學成分分析：滴定法、離子色譜法。

　　表面清潔度測試：核磁共振、紅外光譜。

　　檢測儀器

　　掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、光學顯微鏡、X射線衍射儀、電子探針微區(qū)分析儀、薄膜厚度計、電子束曝光儀、硬度計、彈性模量測量儀、紅外光譜儀、電感耦合等離子體發(fā)射光譜。

　　檢測標準

　　GB/T 6616-2009 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法

　　GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

　　GB/T 6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測試方法

　　GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測試方法

　　GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法

　　GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測試方法

　　GB/T 11073-2007 硅片徑向電阻率變化的測量方法

　　GB/T 13388-2009 硅片參考面結(jié)晶學取向X射線測試方法

　　GB/T 14140-2009 硅片直徑測量方法

　　GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法