哪里可以檢測硅晶片?中析研究所檢測中心提供硅晶片檢測服務，出具的硅晶片檢測報告支持掃碼查詢真偽。服務項目：表面平整度、接觸角、厚度、晶體結構、電性能、光學性能、熱性能、化學成分、絕緣性能和表面粗糙度等。實驗室工程師嚴格按照相關標準進行實驗，并且提供非標實驗定制服務。
檢測周期:7-15個工作日，參考周期
檢測范圍
單晶硅片、多晶硅片、氧化硅片、硅氮化硅片、硅碳化硅片、磷化硅片、硅基太陽能電池片。
檢測項目
表面平整度、接觸角、厚度、晶體結構、電性能、光學性能、熱性能、化學成分、絕緣性能和表面粗糙度。
檢測方法
表面形貌觀測：掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)
晶體結構分析：X射線衍射(XRD)
厚度測量：橢偏儀、白光干涉儀
電性能測試：電阻率測試、霍爾效應測試
光學性能測試：反射率測試、透過率測試
熱性能測試：熱導率測試、熱膨脹系數測試
化學成分分析：X射線熒光光譜儀(XRF)、質譜儀
絕緣性能檢測：介電常數測試、擊穿強度測試
表面粗糙度測量：表面粗糙度儀、原子力顯微鏡(AFM)等。
檢測儀器
SEM、AFM、XRD、橢偏儀、白光干涉儀、電阻率測試儀、霍爾效應測試儀、反射率測試儀、透過率測試儀、熱導率測試儀、介電常數測試儀、表面粗糙度儀、XRF和質譜儀等。
檢測標準
CEI EN 50513-2010 太陽能晶片。太陽能電池制造用晶體硅晶片的數據表和產品信息
GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測量 X射線光電子能譜法
GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
JIS H0611-1994 硅晶片厚度、厚度不均勻度及其翹曲度的測定方法
JIS K0148-2005 表面化學分析.用總反射X-射線熒光(TXRF)測定法測定硅晶片的表面主要污染物
SEMI PV25-1011-2011 測量氧，碳，試驗方法在太陽能硅晶片和二次離子質譜法原料硼和磷
T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位錯密度檢測方法 KOH腐蝕結合圖像識別法
T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法
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