哪里可以檢測(cè)硅晶片?中析研究所檢測(cè)中心提供硅晶片檢測(cè)服務(wù)，出具的硅晶片檢測(cè)報(bào)告支持掃碼查詢(xún)真?zhèn)巍７?wù)項(xiàng)目：表面平整度、接觸角、厚度、晶體結(jié)構(gòu)、電性能、光學(xué)性能、熱性能、化學(xué)成分、絕緣性能和表面粗糙度等。實(shí)驗(yàn)室工程師嚴(yán)格按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并且提供非標(biāo)實(shí)驗(yàn)定制服務(wù)。

　　檢測(cè)周期:7-15個(gè)工作日，參考周期

　　檢測(cè)范圍

　　單晶硅片、多晶硅片、氧化硅片、硅氮化硅片、硅碳化硅片、磷化硅片、硅基太陽(yáng)能電池片。

　　檢測(cè)項(xiàng)目

　　表面平整度、接觸角、厚度、晶體結(jié)構(gòu)、電性能、光學(xué)性能、熱性能、化學(xué)成分、絕緣性能和表面粗糙度。

　　檢測(cè)方法

　　表面形貌觀測(cè)：掃描電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)

　　晶體結(jié)構(gòu)分析：X射線(xiàn)衍射(XRD)

　　厚度測(cè)量：橢偏儀、白光干涉儀

　　電性能測(cè)試：電阻率測(cè)試、霍爾效應(yīng)測(cè)試

　　光學(xué)性能測(cè)試：反射率測(cè)試、透過(guò)率測(cè)試

　　熱性能測(cè)試：熱導(dǎo)率測(cè)試、熱膨脹系數(shù)測(cè)試

　　化學(xué)成分分析：X射線(xiàn)熒光光譜儀(XRF)、質(zhì)譜儀

　　絕緣性能檢測(cè)：介電常數(shù)測(cè)試、擊穿強(qiáng)度測(cè)試

　　表面粗糙度測(cè)量：表面粗糙度儀、原子力顯微鏡(AFM)等。

　　檢測(cè)儀器

　　SEM、AFM、XRD、橢偏儀、白光干涉儀、電阻率測(cè)試儀、霍爾效應(yīng)測(cè)試儀、反射率測(cè)試儀、透過(guò)率測(cè)試儀、熱導(dǎo)率測(cè)試儀、介電常數(shù)測(cè)試儀、表面粗糙度儀、XRF和質(zhì)譜儀等。

　　檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

　　CEI EN 50513-2010 太陽(yáng)能晶片。太陽(yáng)能電池制造用晶體硅晶片的數(shù)據(jù)表和產(chǎn)品信息

　　GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的測(cè)量 X射線(xiàn)光電子能譜法

　　GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

　　JIS H0611-1994 硅晶片厚度、厚度不均勻度及其翹曲度的測(cè)定方法

　　JIS K0148-2005 表面化學(xué)分析.用總反射X-射線(xiàn)熒光(TXRF)測(cè)定法測(cè)定硅晶片的表面主要污染物

　　SEMI PV25-1011-2011 測(cè)量氧，碳，試驗(yàn)方法在太陽(yáng)能硅晶片和二次離子質(zhì)譜法原料硼和磷

　　T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位錯(cuò)密度檢測(cè)方法 KOH腐蝕結(jié)合圖像識(shí)別法

　　T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法