耐漏電起痕檢測(cè)：核心檢測(cè)項(xiàng)目與技術(shù)解析

一、概述

二、核心檢測(cè)項(xiàng)目

1. 電痕化指數(shù)（CTI）測(cè)定

• 檢測(cè)目標(biāo)：確定材料在特定電壓下抵抗形成導(dǎo)電通路的閾值。
• 測(cè)試參數(shù)：
  • 電壓梯度：0-600V（按IEC 60112標(biāo)準(zhǔn)分25V步進(jìn)）
  • 電解液：0.1% NH?Cl溶液（模擬污染物）
  • 液滴間隔：30±5秒（精確控制污染程度）
• 判定標(biāo)準(zhǔn)：連續(xù)50滴溶液未引發(fā)電痕化時(shí)的最高電壓值。

2. 耐電痕化指數(shù)（PTI）測(cè)試

• 應(yīng)用場(chǎng)景：驗(yàn)證材料在指定電壓下（如250V或400V）耐受50滴電解液的能力。
• 關(guān)鍵點(diǎn)：直接驗(yàn)證是否符合特定行業(yè)安全標(biāo)準(zhǔn)（如UL認(rèn)證）。

3. 材料分類分級(jí)

• CTI分級(jí)體系（IEC 60112）：

  等級(jí)	CTI范圍（V）	典型材料
  0	≥600	高性能工程塑料
  1	400-599	PBT、玻纖增強(qiáng)PA
  2	250-399	普通ABS、PC
  3	175-249	未增強(qiáng)熱塑性塑料
  4	100-174	低端絕緣材料

4. 失效模式分析

• 檢測(cè)內(nèi)容：
  • 碳化路徑深度測(cè)量（精度達(dá)0.1mm）
  • 漏電流突變監(jiān)測(cè)（閾值通常設(shè)定為0.5A）
  • 材料表面灼燒面積計(jì)算
• 齊全手段：紅外熱成像追蹤局部溫升（ΔT≥120℃時(shí)判定失效）。

5. 特殊環(huán)境模擬測(cè)試

• 復(fù)合測(cè)試條件：
  • 溫度循環(huán)：-40℃~125℃交替
  • 濕度控制：95%RH±3%（加速電解液滲透）
  • 污染等級(jí)：IEC 60664-1規(guī)定的Ⅲ/Ⅳ級(jí)污穢環(huán)境

三、測(cè)試方法對(duì)比

四、關(guān)鍵設(shè)備與技術(shù)參數(shù)

1. 測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成

• 高壓電源：0-600V可調(diào)，紋波系數(shù)＜5%
• 液滴控制模塊：±0.1ml精度
• 電極系統(tǒng)：鉑銥合金電極（符合ISO 1456硬度標(biāo)準(zhǔn)）
• 數(shù)據(jù)采集：實(shí)時(shí)記錄電流、電壓、溫升曲線

2. 環(huán)境控制要求

• 實(shí)驗(yàn)室潔凈度：ISO 7級(jí)（萬(wàn)級(jí)凈化）
• 溫濕度波動(dòng)：±1℃/±3%RH
• 接地阻抗：＜2Ω（防止雜散電流干擾）

五、行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景

1. • 檢測(cè)項(xiàng)目：高壓連接器在鹽霧+振動(dòng)復(fù)合環(huán)境下的CTI值
   • 標(biāo)準(zhǔn)要求：ISO 21498規(guī)定的CTI≥250V（DC 1500V系統(tǒng)）
2. • 重點(diǎn)測(cè)試：背板材料UV老化后的PTI保持率（衰減率≤15%）
3. • 特殊要求：食品級(jí)污染（牛奶/咖啡液）模擬測(cè)試

六、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

1. • 集成AI圖像識(shí)別技術(shù)，實(shí)現(xiàn)碳化路徑自動(dòng)分析
   • 開發(fā)多物理場(chǎng)耦合測(cè)試平臺(tái)（電場(chǎng)+熱場(chǎng)+機(jī)械應(yīng)力）
2. • 針對(duì)氮化鋁陶瓷、聚酰亞胺薄膜等齊全材料優(yōu)化測(cè)試方案
   • 納米涂層材料的耐多次電痕化循環(huán)測(cè)試（＞1000次）

七、