一、檢測項目詳解

1. • 定義：從施加反向電壓瞬間到反向電流降至規定閾值（如10% IRM）的時間。
   • 測試條件：
     • 正向電流（IF）：按規格書設定（如1A）。
     • 反向電壓（VR）：規定值（如100V）。
     • 切換速率（di/dt）：典型值50-100A/μs，需與器件應用場景匹配。
   • 設備：高速示波器（帶寬≥1GHz）、脈沖發生器、電流探頭。
   • 關鍵點：確保觸發同步，避免測量延遲誤差。
2. • 意義：反映存儲電荷總量，直接影響開關損耗。
   • 方法：積分反向恢復電流波形（Qrr=∫Irr(t)dt）。
   • 工具：示波器數學運算功能或專用電荷測量模塊。
3. • 影響：過高IRM會導致電壓尖峰和EMI問題。
   • 捕捉要求：使用高采樣率（≥5GS/s）準確捕獲瞬態峰值。
4. • 軟恢復/硬恢復判斷：通過波形斜率評估（軟恢復斜率低，EMI更優）。
   • 振蕩檢測：檢查波形是否出現阻尼振蕩，反映寄生電感/電容影響。
5. • 范圍：-40°C至+150°C（汽車級器件需覆蓋更寬溫區）。
   • 設備：溫控箱、熱耦合夾具。
   • 趨勢：溫度升高通常導致trr延長，需驗證高溫下的可靠性。
6. • 批次抽樣：隨機抽取10-20個樣品，統計trr分布。
   • 標準：六西格瑪管控（Cpk≥1.33）。

二、測試系統搭建要點

1. • 推薦拓撲：采用電感-開關串聯的經典測試電路（符合JEDEC JS-001標準）。
   • 關鍵元件：
     • 低寄生電感負載電感（如空心繞組）。
     • 高速MOSFET驅動（上升時間＜10ns）。
     • 阻尼電阻（抑制振蕩）。
2. • 探頭校準：使用脈沖發生器與已知負載校準電流探頭延時。
   • 地回路優化：縮短探頭接地線（＜1cm），使用同軸連接器。
3. • PCB設計：采用多層板，電源/地平面完整，避免過孔引入電感。
   • 接線長度：高壓線纜長度＜10cm，必要時使用屏蔽線纜。

三、典型測試步驟

1. • 設備預熱30分鐘，消除溫漂。
   • 設置示波器：觸發模式（單次觸發）、存儲深度（≥1M點）。
2. • 按規格書輸入IF、VR，調整脈沖寬度（確保器件完全導通）。
   • 設置di/dt（通過調整驅動電阻或電感值）。
3. • 觸發位置設定在電流下降沿。
   • 多次采樣取平均，降低隨機噪聲。
4. • 使用光標測量trr（t1-t0）：
     • t0：電流過零點。
     • t1：電流降至IRM的10%。
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