源極開路時柵極截止電流檢測項目的完整解析
一、測試原理與電路配置
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- 源極開路:斷開器件源極(S)連接,僅保留柵極(G)與漏極(D)施加電壓。
- 柵極偏壓:通常將柵極設(shè)為截止電壓(如MOSFET的 ???=0VVGS?=0V 或負壓)。
- 漏極電壓:施加額定 ???VDS? 或更高電壓以模擬高壓應力。
- |---[電壓源 $$ V_{DS} $$ ]---D G---[電壓源 $$ V_{GS} $$] S---開路
二、核心檢測項目列表
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- 目的:測量柵極在截止狀態(tài)下的直流泄漏電流。
- 方法:
- 固定 ???VGS? 為截止電壓(如 -5V),施加 ???VDS? 至額定值。
- 使用高精度源測量單元(SMU)直接讀取 ??IG?。
- 標準:通常要求 ????<1nAIGSS?<1nA(依器件規(guī)格而定)。
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- 目的:評估溫度對柵極泄漏的影響。
- 方法:
- 在溫控箱中,測試 -55°C、25°C、125°C 等溫度點的 ????IGSS?。
- 繪制 ????−?IGSS?−T 曲線,分析溫度系數(shù)。
- 關(guān)鍵指標:高溫下電流增幅是否超標(如 125°C 時 ????≤100nAIGSS?≤100nA)。
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- 目的:檢測柵極氧化層的長期可靠性。
- 方法:
- 施加 ???VDS? 額定值的 120%,持續(xù) 1000 小時。
- 定期監(jiān)測 ????IGSS? 是否突增(預示氧化層擊穿)。
- 判定準則:電流波動需小于 ±10%,無階躍變化。
-
- 目的:驗證開關(guān)動作對截止電流的影響。
- 方法:
- 在柵極施加高頻開關(guān)信號(如 100kHz),漏極保持高壓。
- 用示波器捕獲開關(guān)瞬態(tài)后的穩(wěn)態(tài) ??IG?。
- 關(guān)注點:開關(guān)噪聲是否導致泄漏電流增加。
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- 目的:確定器件的最大耐受電壓。
- 方法:
- 逐步提升 ???VDS? 至超出規(guī)格書 20%~50%,監(jiān)測 ????IGSS?。
- 記錄電流急劇上升時的臨界電壓值。
三、關(guān)鍵設(shè)備與注意事項
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- 高精度SMU(如Keysight B2900系列)
- 溫控試驗箱(-65°C ~ 150°C)
- 高速示波器(帶寬 ≥ 200MHz)
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- 避免靜電干擾,測試前對器件及夾具放電。
- 確保源極開路阻抗 > 1GΩ,防止寄生漏電。
- 校準SMU的電流量程至nA級以提高精度。
四、數(shù)據(jù)分析與失效模式
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- 柵極氧化層缺陷
- 封裝污染導致爬電
- 溫度循環(huán)后的材料疲勞
五、應用場景
- 質(zhì)量控制:生產(chǎn)線終檢篩選高泄漏器件。
- 研發(fā)驗證:優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計前的性能摸底。
- 可靠性評估:汽車電子或航天領(lǐng)域的高標準認證。
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