GB/T 14141-2009硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定
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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 14141-2009硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴(kuò)散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量精確度尚未評估。
英文名稱： Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
替代情況： 替代GB/T 14141-1993
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC203)
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