GB/T 14139-2009硅外延片
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標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 14139-2009硅外延片
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延片的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法和檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在N 型硅拋光片襯底上生長的n型外延層(N/N+ )和在p型硅拋光片襯底上生長的P型外延層(P/P+ )的同質(zhì)硅外延片。產(chǎn)品主要用于制作硅半導(dǎo)體器件。其他類型的硅外延片可參照使用。
英文名稱： Silicon epitaxial wafers
替代情況： 替代GB/T 14139-1993;被GB/T 14139-2019代替
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
作廢日期： 2020-05-01
首發(fā)日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
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