GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法
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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用非接觸渦流測定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑或邊長大于25mm、厚度為0.1mm~1mm 的硅單晶切割片、研磨片和拋光片的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測量薄膜薄層電阻時,襯底的有效薄層電阻至少應(yīng)為薄膜薄層電阻的1000倍。
英文名稱： Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
替代情況： 替代GB/T 6616-1995
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： SEMI MF673-1105 MOD
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1986-07-26
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
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