GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 6617-2009硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量晶體晶向與導(dǎo)電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
英文名稱： Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
替代情況： 替代GB/T 6618-1995
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1986-07-26
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
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