硅中硼檢測哪里可以做?中析研究所實(shí)驗(yàn)室提供硅中硼檢測服務(wù)，出具的硅中硼檢測報(bào)告支持掃碼查詢真?zhèn)巍７?wù)領(lǐng)域：半導(dǎo)體工業(yè)、玻璃工業(yè)、陶瓷工業(yè)、核工業(yè)、冶金工業(yè)、化學(xué)合成、電池材料和防腐涂料。服務(wù)項(xiàng)目：硼含量檢測、雜質(zhì)檢測、結(jié)晶質(zhì)量檢測、電學(xué)性能檢測等。實(shí)驗(yàn)室工程師嚴(yán)格按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，并且提供非標(biāo)實(shí)驗(yàn)定制服務(wù)。

　　檢測周期:7-15個(gè)工作日，參考周期

　　檢測樣品

　　多晶硅，單晶硅，多晶硅片，單晶硅片，硅膜

　　檢測項(xiàng)目

　　硼含量檢測：確定硅樣品中硼的含量。這可以通過化學(xué)分析方法，如原子吸收光譜(AAS)或電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-OES)來進(jìn)行。

　　雜質(zhì)檢測：除了硼之外，還需要檢測硅樣品中的其他雜質(zhì)元素，如金屬雜質(zhì)(鐵、銅、鋁等)和其他非金屬雜質(zhì)(氧、碳等)。這可以通過多種分析方法進(jìn)行，如質(zhì)譜儀、離子色譜儀等。

　　結(jié)晶質(zhì)量檢測：對于硅中硼的晶體樣品，可以進(jìn)行結(jié)晶質(zhì)量的檢測。這包括晶體的純度、晶格結(jié)構(gòu)和晶體缺陷等方面的分析，可以使用X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)等技術(shù)進(jìn)行。

　　電學(xué)性能檢測：對于硼摻雜的硅材料，可以進(jìn)行電學(xué)性能的檢測，如電導(dǎo)率、載流子濃度和遷移率等。這可以通過電學(xué)測試設(shè)備，如霍爾效應(yīng)測量儀和四探針測量儀等進(jìn)行。

　　檢測方法

　　原子吸收光譜(AAS)：這是一種常用的化學(xué)分析方法，可以測定硅樣品中的硼含量。樣品通常通過酸溶解后，使用原子吸收光譜儀測量硼的吸收特征線來確定硼的濃度。

　　電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-OES)：這是一種高靈敏度的光譜分析方法，可以用于測定硅樣品中硼的含量。樣品通常需要經(jīng)過酸溶解和稀釋后，使用ICP-OES儀器測量硼的發(fā)射光譜來確定其濃度。

　　質(zhì)譜法：質(zhì)譜法可以用于硅中硼的定量分析。樣品通常需要經(jīng)過溶解和適當(dāng)?shù)那疤幚砗?，使用質(zhì)譜儀測量硼的質(zhì)譜信號來確定其含量。

　　離子色譜法：離子色譜法可以用于測定硅樣品中硼的含量。樣品通常需要經(jīng)過溶解和稀釋后，使用離子色譜儀分離和測定硼離子。

　　核磁共振：核磁共振技術(shù)可以用于硅中硼的定量分析。該方法基于硼原子核的磁共振信號來確定硼的含量。

　　檢測儀器

　　原子吸收光譜儀(AAS)，電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP-OES)，質(zhì)譜儀，離子色譜儀，X射線衍射儀(XRD)，掃描電子顯微鏡(SEM)，霍爾效應(yīng)測量儀、四探針測量儀

　　檢測標(biāo)準(zhǔn)

　　GB/T 40109-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 硅中硼深度剖析方法

　　GB/T 20176-2006表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 用均勻摻雜物質(zhì)測定硅中硼的原子濃度

　　GB/T 32495-2016表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中砷的深度剖析方法

　　GB/T 24580-2009重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測方法

　　GB/T 13389-2014摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

　　GB/T 29851-2013光伏電池用硅材料中B、Al受主雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測量方法

　　GB/T 32281-2015太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質(zhì)譜法

　　GB/T 29056-2012硅外延用三氯氫硅化學(xué)分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

　　GB/T 34843-2017 3.3硼硅玻璃 性能