發射極開路時的最大集電極-基極截止電流檢測
發布時間：2025-09-23 17:00:09- 點擊數： - 關鍵詞：
實驗室擁有眾多大型儀器及各類分析檢測設備，研究所長期與各大企業、高校和科研院所保持合作伙伴關系，始終以科學研究為首任，以客戶為中心，不斷提高自身綜合檢測能力和水平，致力于成為全國科學材料研發領域服務平臺。
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一、檢測目的
- 驗證器件在額定反向電壓下的漏電流是否符合規格書要求。
- 評估器件在高溫或長時間工作下的漏電流穩定性。
- 篩選存在制造缺陷或潛在失效的器件。
二、檢測設備與條件
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- 高精度直流電源（分辨率≤1mV）
- 微安級數字萬用表（量程0.1μA~1mA）
- 恒溫箱（溫度范圍-55℃~150℃）
- 防靜電測試夾具及屏蔽線
- 三極管測試座（支持TO-92、SOT-23等封裝）
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- 電壓：按規格書要求施加反向電壓（典型值：VCBO）
- 溫度：常溫（25℃）及高溫（如125℃，根據應用場景設定）
- 時間：電壓穩定后讀數，每次測試持續5~10秒。
三、檢測步驟
- 發射極懸空，集電極接電源正極，基極接電源負極（NPN型）。
- 串聯數字萬用表于集電極回路，設置為直流電流測量模式（圖1）。
- 緩慢升高電源電壓至額定VCBO，記錄穩定后的電流值。
- 重復3次取平均值，對比規格書限值（如≤1μA）。
- 將器件置于恒溫箱，升溫至目標溫度并保持15分鐘。
- 重復電壓施加與電流測量，觀察漏電流變化趨勢。
- 若電流值超過規格書標準（如>5μA）或呈現指數級增長，判定為不合格。
四、關鍵注意事項
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- 使用屏蔽線并遠離高頻信號源，避免讀數波動。
- 在電路中并聯0.1μF陶瓷電容濾除高頻干擾。
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- 操作全程佩戴防靜電手環，測試臺接地。
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- 避免急速加壓導致器件擊穿，建議以10V/s速率逐步增加。
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- 高溫測試時需校正儀器溫漂誤差，必要時采用四線法測量。
五、數據分析與報告
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測試條件 VCBO (V) 溫度 (℃) ICBO (μA) 判定結果 常溫 40 25 0.8 合格 高溫 40 125 3.2 合格 -
- 芯片表面污染導致漏電
- PN結缺陷或封裝密封性不足
六、相關標準參考
- JEDEC JESD77B：雙極型晶體管測試標準
- MIL-STD-750：軍用半導體器件試驗方法
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