一、檢測目的

二、檢測條件

1. • Tamb（環境溫度）：根據器件規格書設定（如125°C、150°C），需確保溫箱均勻性誤差≤±2°C。
   • Tcase（殼體溫度）：通過熱電偶或紅外測溫儀實時監控，確保與Tamb同步達到目標值。
   • 關鍵點：升溫速率需平緩（建議≤5°C/min），避免熱沖擊導致結構應力。
2. • 反向偏置電壓：施加器件最大額定反向電壓（VRRM），如未指定則參考數據表的80%作為測試值。
   • 無正向耗散約束：通過測試電路設計確保器件無正向導通（例如串聯二極管阻斷正向電流）。

三、檢測設備與配置

四、檢測步驟（分階段操作）

1. • 器件高溫老化：在低于目標溫度（如100°C）下預烘烤2小時，排除濕氣影響。
   • 電路校準：在室溫下驗證測試回路電阻及儀器零點漂移。
2. • 以≤5°C/min速率升溫至目標Tamb，保持1小時使溫度分布均勻。
   • 確認Tcase與Tamb差值≤5°C（若差異過大需排查散熱路徑異常）。
3. • 逐步施加反向電壓至VRRM，每步停留30秒以消除瞬態效應。
   • 記錄穩態反向電流值（IR），每個溫度點至少重復3次取平均值。
   • 注意事項：
     • 屏蔽電磁干擾，采用三同軸電纜連接；
     • 使用Guard環技術消除漏電流誤差。
4. • 若IR超過數據表限值的120%，或同一批次離散性＞50%，判定為不合格。
   • 監測電流隨時間的變化趨勢，異常上升可能預示局部熱點或材料退化。

五、數據分析與報告

1. 溫度-電流特性曲線：繪制IR隨Tamb/Tcase的變化曲線，分析是否符合Arrhenius模型。
2. 統計過程控制（SPC）：對批次數據執行CPK分析，評估工藝穩定性。
3. 失效模式分析（如超標）：
   • 解剖分析：通過SEM/EDS檢查PN結缺陷或金屬遷移；
   • 熱成像定位：排查封裝內部熱分布不均勻問題。

六、典型問題與解決方案

• 問題1：測量噪聲過大 對策：采用低溫漂電阻、增加濾波電容，并在地線設計中避免環路。
• 問題2：溫度梯度導致讀數漂移 對策：延長溫度穩定時間，優化夾具熱接觸設計。
• 問題3：接觸電勢差干擾 對策：使用金-plated探針，減少不同金屬間的熱電效應。

七、標準參考

• JEDEC JESD22-A108：高溫反向偏置（HTRB）測試標準；
• MIL-STD-750：針對分立器件的環境試驗方法；
• IEC 60749-6：半導體器件的熱特性測試規范。