規(guī)定基極-發(fā)射極偏置條件時最大集電極-發(fā)射極高溫截止電流檢測
發(fā)布時間:2025-05-21 08:27:35- 點擊數(shù): - 關(guān)鍵詞:
實驗室擁有眾多大型儀器及各類分析檢測設(shè)備,研究所長期與各大企業(yè)、高校和科研院所保持合作伙伴關(guān)系,始終以科學(xué)研究為首任,以客戶為中心,不斷提高自身綜合檢測能力和水平,致力于成為全國科學(xué)材料研發(fā)領(lǐng)域服務(wù)平臺。
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注意:因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個人委托測試望見諒。
基極-發(fā)射極偏置條件下最大集電極-發(fā)射極高溫截止電流檢測指南
一、檢測目的
- 量化晶體管在高溫截止狀態(tài)下的漏電流性能;
- 驗證器件是否符合高溫應(yīng)用場景的規(guī)格要求;
- 篩選潛在缺陷(如PN結(jié)漏電、材料缺陷等)。
二、檢測原理
- 偏置條件:B-E反向偏置(通常為0V或負壓),確保晶體管截止;
- 溫度條件:高溫環(huán)境(如125℃),加速熱效應(yīng);
- 電流讀取:測量C-E間漏電流的最大值。
三、檢測設(shè)備清單
設(shè)備名稱 | 功能說明 |
---|---|
高低溫試驗箱 | 提供恒定的高溫環(huán)境(±1℃精度) |
半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 | 施加偏置電壓并精確測量電流(nA級) |
探針臺/測試夾具 | 確保晶體管引腳可靠接觸 |
防靜電工作站 | 防止靜電放電(ESD)損壞器件 |
四、檢測步驟
- 確認器件規(guī)格書中的高溫????ICEO?最大值(如10μA@125℃);
- 校準參數(shù)分析儀,設(shè)置電壓源量程和電流表靈敏度;
- 將晶體管固定于測試夾具,連接B、E、C三極并接地。
- 將測試夾具置入高低溫箱,升溫至目標溫度(如125℃),恒溫30分鐘;
- 監(jiān)測溫度穩(wěn)定性,確保波動范圍≤±2℃。
- B-E間施加反向偏置電壓(如???=−0.5?VBE?=−0.5V,具體參考規(guī)格書);
- C-E間施加額定電壓(如???=5?VCE?=5V),避免擊穿。
- 讀取參數(shù)分析儀的????ICEO?值,記錄穩(wěn)定后的峰值;
- 重復(fù)測量3次,取平均值以消除噪聲干擾。
五、結(jié)果判定標準
- 合格:實測????ICEO? ≤ 規(guī)格書標稱最大值(如10μA);
- 不合格:實測值超出規(guī)格,或呈現(xiàn)指數(shù)級增長(可能為材料缺陷)。
六、注意事項
- 溫度均勻性:確保晶體管芯片與測試環(huán)境溫度一致,避免局部過熱;
- 接觸阻抗:清潔探針觸點,降低接觸電阻對微小電流的影響;
- 靜電防護:操作全程佩戴防靜電手環(huán),避免器件擊穿;
- 數(shù)據(jù)記錄:同步記錄溫度、偏置電壓及電流波形變化。
七、常見問題與解決方案
問題現(xiàn)象 | 可能原因 | 解決方案 |
---|---|---|
電流讀數(shù)不穩(wěn)定 | 溫度波動或接觸不良 | 檢查恒溫箱穩(wěn)定性,重新固定探針 |
????ICEO?異常偏高 | PN結(jié)漏電或污染 | 清潔器件表面,復(fù)測確認是否為批次性問題 |
無電流信號 | 偏置電壓未正確施加 | 檢查電路連接,確認參數(shù)分析儀配置 |
八、
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