掃描電子顯微鏡(SEM)檢測項目詳解
一、核心檢測項目
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- 表面形貌觀測:通過二次電子(SE)成像,獲得樣品表面納米級三維形貌信息,分辨率可達0.5-5 nm,適用于金屬斷口、涂層、纖維等表面特征分析。
- 三維形貌重構:結合傾斜樣品臺或聚焦離子束(FIB),重建樣品3D結構,用于材料孔隙率、粗糙度量化分析。
- 顆粒與缺陷分布:統計微米/納米顆粒尺寸分布、形狀參數,檢測材料裂紋、孔洞等缺陷的空間分布。
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- 能譜分析(EDS):探測特征X射線,快速定性/定量分析元素組成(B-U),繪制元素面分布圖,適用于合金相分析、異物檢測。
- 波譜分析(WDS):高分辨率成分分析(檢測限達0.01%),用于輕元素(如C、N、O)的精準定量。
- 元素價態分析:結合陰極發光(CL)或電子能量損失譜(EELS),研究材料化學態及能帶結構。
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- 電子背散射衍射(EBSD):解析晶體取向、晶界類型、應變分布,用于金屬織構、陶瓷相變研究。
- 微觀結構表征:觀測多相材料界面、復合材料增強相分布、半導體器件層狀結構。
- 缺陷與位錯觀察:通過選區衍射(SAED)或高分辨率模式分析位錯、孿晶等晶體缺陷。
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- 原位動態實驗:在加熱、拉伸、通電環境下實時觀測材料形變、相變或失效過程。
- 生物樣品成像:采用低電壓模式或環境SEM(ESEM)觀察非導電樣品(如細胞、昆蟲),無需金屬鍍膜。
- 納米材料特性:測量碳納米管、量子點等材料的尺寸、分散性及表面功能化效果。
二、典型應用領域
領域 | 檢測示例 |
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材料科學 | 金屬斷裂機制分析、涂層結合界面觀測、陶瓷燒結致密化評估 |
半導體工業 | 芯片電路缺陷定位、焊點可靠性測試、光刻膠形貌檢測 |
生物醫學 | 骨組織多孔結構表征、藥物載體粒徑分析、細菌生物膜形貌觀測 |
地質礦物 | 巖石微裂隙分析、礦物共生序列研究、隕石沖擊變質結構鑒定 |
納米技術 | 石墨烯層數判定、納米顆粒團聚狀態評估、MOF材料孔結構表征 |
三、樣品制備關鍵技術
- 導電處理:非導電樣品需噴鍍5-20 nm金、鉑或碳層以避免荷電效應。
- 生物樣品處理:采用臨界點干燥或冷凍固定技術保持結構完整,避免脫水塌縮。
- 截面制備:使用聚焦離子束(FIB)或離子研磨儀制備橫截面,觀測涂層/界面內部結構。
- 特殊環境樣品:環境SEM(ESEM)允許含水樣品在低真空下直接觀察,無需干燥處理。
四、技術優勢與局限
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- 分辨率高(亞納米級場發射SEM),景深大,立體成像效果優于光學顯微鏡;
- 多信號綜合分析能力(形貌+成分+結構);
- 適配多種附件(如EDS、EBSD),功能擴展性強。
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- 樣品需耐高真空,含水或揮發性物質需特殊處理;
- 電子束可能損傷敏感材料(如有機薄膜);
- 元素分析對輕元素靈敏度較低(EDS檢測限約0.1%)。
五、前沿發展
- 低電壓SEM:減少電子穿透深度,提升表面細節分辨率,適用于有機材料。
- 原位分析技術:整合拉伸臺、加熱臺等,實現動態過程多維度表征。
- AI圖像分析:機器學習算法自動識別顆粒、統計尺寸分布,提高檢測效率。
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