一、檢測(cè)目標(biāo)與重要性

1. 工藝優(yōu)化：驗(yàn)證鍵合參數(shù)（壓力、溫度、超聲波能量）的合理性。
2. 質(zhì)量控制：篩選缺陷焊點(diǎn)，降低產(chǎn)品不良率。
3. 可靠性評(píng)估：模擬極端工況下的穩(wěn)定性，延長(zhǎng)器件壽命。

二、核心檢測(cè)項(xiàng)目及方法

1. 外觀檢測(cè)

• 焊點(diǎn)形狀與尺寸：測(cè)量直徑、高度是否符合標(biāo)準(zhǔn)（如球形焊點(diǎn)直徑公差±10%）。
• 位置偏移：鍵合點(diǎn)中心與焊盤的對(duì)準(zhǔn)偏差（通常要求≤15%焊盤寬度）。
• 表面缺陷：裂紋、空洞、污染或金屬飛濺（需排除因超聲波振動(dòng)引起的金屬碎屑）。

2. 機(jī)械性能測(cè)試

• 拉力測(cè)試（Pull Test） 使用鉤針垂直拉拔引線，測(cè)量斷裂強(qiáng)度（金線通常需≥3g，銅線≥5g）。斷裂模式分析：
  • 頸縮斷裂（正常失效）：斷裂位于引線頸部。
  • 界面剝離（缺陷）：焊點(diǎn)與焊盤或芯片金屬層分離。
• 剪切測(cè)試（Shear Test） 水平推動(dòng)焊點(diǎn)，評(píng)估鍵合界面強(qiáng)度（如金球焊剪切力≥50gf）。檢測(cè)設(shè)備需校準(zhǔn)避免角度偏差。

3. 電學(xué)性能驗(yàn)證

• 接觸電阻測(cè)試：四線法測(cè)量鍵合點(diǎn)電阻，確保低阻值（通常<50mΩ）。
• 連續(xù)性測(cè)試：通過電流循環(huán)檢測(cè)開路或弱連接問題。

4. 材料與界面分析

5. 環(huán)境可靠性測(cè)試

• 溫度循環(huán)測(cè)試：-55℃~150℃循環(huán)，驗(yàn)證熱膨脹失配導(dǎo)致的疲勞失效。
• 高溫高濕試驗(yàn)（85℃/85%RH）：評(píng)估氧化與腐蝕對(duì)鍵合點(diǎn)的影響。
• 機(jī)械振動(dòng)/沖擊測(cè)試：模擬運(yùn)輸或使用中的應(yīng)力沖擊。

三、齊全檢測(cè)技術(shù)趨勢(shì)

1. • X射線成像（2D/3D）：檢測(cè)隱藏缺陷（如內(nèi)部裂紋、未熔合）。
   • 激光超聲檢測(cè)：通過聲波反射分析鍵合界面質(zhì)量。
2.  
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四、典型缺陷與解決方案

五、總結(jié)

• MIL-STD-883H, Test Method Standard for Microcircuits.
• Harman G., Wire Bonding in Microelectronics (3rd Edition).
• JEDEC JESD22-A104F, Temperature Cycling.