標準編號：GB/T 14146-2009硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
標準狀態：現行
標準簡介：本標準規定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測量方法。本標準適用于同質的硅外延層載流子濃度測量。測量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。本標準測試的硅外延層的厚度必須大于測試偏壓下耗盡層的深度。本標準也可適用于硅拋光片的載流子濃度測量。
英文名稱： Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
替代情況： 替代GB/T 14146-1993
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
發布部門： 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會
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