GB/T 6619-2009硅片彎曲度測(cè)試方法
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標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：GB/T 6619-2009硅片彎曲度測(cè)試方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片(以下簡(jiǎn)稱(chēng)硅片)彎曲度的接觸式測(cè)量方法，本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑不小于25mm,厚度為不小于180μm,直徑和厚度比值不大于250的圓形硅片的彎曲度，本測(cè)試方法的目的是用于來(lái)料驗(yàn)收和過(guò)程控制，本標(biāo)準(zhǔn)也適用于測(cè)量其他半導(dǎo)體圓片彎曲度。
英文名稱(chēng)： Test methods for bow of silicon wafers
替代情況： 替代GB/T 6619-1995
中標(biāo)分類(lèi)： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類(lèi)： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
采標(biāo)情況： SEMI MF534-0706 MOD
發(fā)布部門(mén)： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1985-06-17
提出單位： 全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC203)
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