GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
實驗室擁有眾多大型儀器及各類分析檢測設(shè)備，研究所長期與各大企業(yè)、高校和科研院所保持合作伙伴關(guān)系，始終以科學(xué)研究為首任，以客戶為中心，不斷提高自身綜合檢測能力和水平，致力于成為全國科學(xué)材料研發(fā)領(lǐng)域服務(wù)平臺。
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注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整，暫不接受個人委托測試望見諒。
標(biāo)準(zhǔn)編號：GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行
標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強的晶體缺陷的檢測。硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗也可參照此方法。
英文名稱： Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
替代情況： 替代GB/T 4058-1995
中標(biāo)分類： 冶金>>半金屬與半導(dǎo)體材料>>H80半金屬與半導(dǎo)體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導(dǎo)體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
首發(fā)日期： 1983-12-20
提出單位： 全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會
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